JSMSEMI(杰盛微)中国

P0803BDG-JSM

晶体管 - FET，MOSFET - 单

适用于电池管理，高速开关，低功率 DC-DC 转换。

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流80 A
导通电阻12 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流80 A
导通电阻12 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
其他
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V,20A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21
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