VBsemi(微碧半导体)中国

P0803BDG-VB

晶体管 - FET，MOSFET - 单

TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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数据手册数据手册 · 230.9 KB · 2026-09-21
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