NIKO-SEM(尼克森)中国

P1025HDB

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:250V 电流:10A

查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
沟道N 沟道
耐压250 V
连续漏极电流10 A
导通电阻460 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压250 V
连续漏极电流10 A
导通电阻460 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)10A
其他
导通电阻(RDS(on))460mΩ@10V,5A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 188.6 KB · 2026-09-21变更与勘误变更与勘误 · 183.1 KB · 2026-09-22
进入资料中心