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技术参数
| 电源 | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 82A |
| Id-额定电流 | 82A |
| VDSS-最大漏源电压 | 75V |
| Vgs(th)-门槛电压 | 3V |
| 环境与封装 | |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 最小工作温度 | -55℃ |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 58W |
| Pd-最大功率耗散 | 58W |
| Qg-栅极电荷 | 168nC |
| Vdss-漏源耐压 | 75V |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 集成ESD保护二极管 | 0 |
| 集成整流二极管 | 0 |
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| 电源 | |
|---|---|
| ID-最大漏极电流 | 82A |
| Id-额定电流 | 82A |
| VDSS-最大漏源电压 | 75V |
| Vgs(th)-门槛电压 | 3V |
| 环境与封装 | |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| 最小工作温度 | -55℃ |
| 其他 | |
| Pd-功率耗散 | 58W |
| Pd-最大功率耗散 | 58W |
| Qg-栅极电荷 | 168nC |
| Vdss-漏源耐压 | 75V |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置整流二极管 | 0 |
| 集成ESD保护二极管 | 0 |
| 集成整流二极管 | 0 |