P9006EVG-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电子设备和系统中。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流4.75 A
导通电阻60 mΩ
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流4.75 A
导通电阻60 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.75A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,4.3A |
| 数量 | 1个P沟道 |