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技术参数
| 交流 / 直流特性 | |
|---|---|
| Frequency | 3 GHz |
| 环境与封装 | |
| Package | 48-lead QFN |
| 其他 | |
| IDD | 10 mA (Typ) |
| Tstg | -65 °C to 150 °C |
| VDD | 2.85 V to 3.15 V |
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| 交流 / 直流特性 | |
|---|---|
| Frequency | 3 GHz |
| 环境与封装 | |
| Package | 48-lead QFN |
| 其他 | |
| IDD | 10 mA (Typ) |
| Tstg | -65 °C to 150 °C |
| VDD | 2.85 V to 3.15 V |