QNM30ND20AJ
晶体管 - FET，MOSFET - 单2个N沟道，共源配置；Vdss=30V，Id=22A；RDS(ON)=15.8mΩ@4.5V;10.4mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.0~2.2V；Ciss=829pF，Coss=96pF，Crss=77pF；Pd=34W，Qg=20nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流22 A
导通电阻10.4 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流22 A
导通电阻10.4 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 22A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4mΩ@10V |
| 数量 | 2个N沟道 |
技术资料
该型号暂未收录资料。