R6011ENX-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，具有优秀的性能和可靠性。采用Plannar技术制造，适用于各种应用场合。TO220F；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=170mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流20 A
导通电阻170 mΩ
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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流20 A
导通电阻170 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |