RDD020N50-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO252；N—Channel沟道,500V；14.5A；RDS(ON)=243mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流14.5 A
导通电阻243 mΩ
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沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流14.5 A
导通电阻243 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 500V |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 243mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |