RDD020N60-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；
沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流4.5 A
导通电阻2.1 Ω
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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流4.5 A
导通电阻2.1 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |