RDD022N50TL-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；2A；RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Plannar技术；
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台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；2A；RDS(ON)=4300(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Plannar技术；
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