RM11A-BULK

在产单二极管

DIODE GEN PURP 600V 1.2A D2

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反向耐压600 V
平均整流电流1.2 A
正向压降920 mV
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技术参数

反向耐压600 V
平均整流电流1.2 A
正向压降920 mV最大 · 1.5 A
类型标准Standard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)1.2A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If920 mV @ 1.5 A
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
PackageBag
Package / CaseD-2, Axial
Supplier Device PackageD2
其他
Capacitance @ Vr, F30pF @ 4V, 1MHz
MfrEIC SEMICONDUCTOR INC.
Product StatusActive
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

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