RM2312
Rectron USA中国台湾

MOSFET N-CHANNEL 20V 4.5A SOT23

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.5 A
导通电阻33 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.5 A
导通电阻33 mΩ最大 · 4.5A
阈值电压1.2 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.25W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 8 V
MfrRectron USA
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 4.5A, 4.5V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

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技术资料

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