RMC60R150FDB

在产单 FET,MOSFETTO-220F

SJ MOSFET

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技术参数

环境与封装
PackageTO-220F
其他
ID (A) 25℃22
PD(W) 25℃38
Qg(nC)(VGS=10V) (Typ)39.8
RDS(ON)(mΩ) (VGS=10V)(Max)150
VDS (V)600
VGS(th)(V) (Typ)3.3
VGS(V)30

技术资料

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