产品优势：SGT⼯艺，突破性的FOM优化，覆盖更多的应⽤场景。 产品特性：低导通电阻，低损耗，⾼雪崩耐量，⾼效率。 产品应⽤：⻢达驱动，5G基站，储能，⾼频开关，同步整流。
全部替代型号
查看完整报告技术参数
| 环境与封装 | |
|---|---|
| Package | TO-247-3L |
| 其他 | |
| BVdss(V) | 200 |
| ID(A) | 110 |
| product | 低压MOS-SGT |
| RDS(on)10V Max(mΩ) | 10.5 |
| RDS(on) 10V Typ(mΩ) | 9.3 |
| Vgs(V) | ±20 |
| Vth(V)Max | 4.5 |
| Vth(V)Min | 2.5 |
| Vth(V) Typ | 3.5 |