IC CMOS 1 CIRCUIT SOT23-5

RS8557XF-Q1是一款零漂移CMOS运算放大器,单通道,SOT23-5封装,工作电压2.7V至5.5V,增益带宽积4.3MHz,满足AEC-Q100 Grade 1汽车级标准。规格书核对

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供电电压范围2.7 ~ 5.5 V
增益带宽积4.3 MHz
输入失调电压10 µV
静态电流650 µA

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技术参数

供电电压范围2.7 ~ 5.5 V
增益带宽积4.3 MHz典型
输入失调电压10 µV典型 · VCM=VS/2)
静态电流650 µA典型 · VS=5V)
通道数1

规格书核对参数

25 项
参数值和测试条件出处
供电电压范围Single-supply: 2.7V to 5.5V; Dual-supply: ±1.35V to ±2.75V
增益带宽积Typ: 4.3 MHz (at 25°C)
输入失调电压Typ: ±10 μV, Max: 50 μV (at 25°C, VCM=VS/2); Max: 100 μV (Full range)
静态电流Typ: 0.65 mA, Max: 1.05 mA (at 25°C, VS=5V); Max: 1.1 mA (Full range)
通道数1
封装SOT23-5
工作温度-40°C to 125°C
等级AEC-Q100 Grade 1
RoHSRoHS Pb Lead Free
推荐工作条件-供电电压Single-supply: Min 2.7V, Max 5.5V; Dual-supply: Min ±1.35V, Max ±2.75V
绝对最大额定值-供电电压Max: 7 V
绝对最大额定值-结温Min: -40°C, Max: 150°C
绝对最大额定值-存储温度Min: -65°C, Max: 150°C
压摆率Typ: 2.5 V/μs (at 25°C, G=+1)
输入偏置电流Typ: ±50 pA (at 25°C, VCM=VS/2)
输入失调电流Typ: ±10 pA (at 25°C, VCM=VS/2)
输入电压噪声Typ: 0.93 μVpp (f=0.1Hz to 10Hz, at 25°C)
共模抑制比Min: 105 dB, Typ: 120 dB (at 25°C); Min: 100 dB (Full range)
电源抑制比Min: 105 dB, Typ: 120 dB (at 25°C); Min: 90 dB (Full range)
开环电压增益Min: 105 dB, Typ: 120 dB (at 25°C, RL=10KΩ)
输出短路电流Min: ±30 mA, Typ: ±48 mA (at 25°C); Min: ±25 mA (Full range)
输入共模电压范围Min: (V-)-0.1 V, Max: (V+) + 0.1 V (Full range)
输出摆幅距轨Typ: 8 mV, Max: 20 mV (at 25°C, RL=10KΩ); Max: 30 mV (Full range)
过载恢复时间Typ: 1 μs (at 25°C)
输入失调电压漂移Typ: ±0.05 μV/°C (Full range)
全部参数(19 项)展开收起
电源
Current - Input Bias1 pA
Current - Output / Channel48 mA
Current - Supply650µA
Voltage - Supply Span (Max)5.5 V
Voltage - Supply Span (Min)2.5 V
交流 / 直流特性
Gain Bandwidth Product4.3 MHz
Slew Rate2.5V/µs
Voltage - Input Offset1.5 µV
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C ~ 125°C
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseSC-74A, SOT-753
Supplier Device PackageSOT-23-5
其他
Amplifier TypeCMOS
MfrRunic Technology
Number of Circuits1
Output TypeRail-to-Rail
Product StatusActive
Series-

引脚与封装

封装SOT23-5

脚位名称功能出处
1OUT(输出)
2V-(负电源)
3+IN (同相输入)
4-IN (反相输入)
5V+(正电源)

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。