SC600N080D

在产单 FET,MOSFETTO252

SiC MOSFET SC600N080D

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技术参数

环境与封装
PackageTO252
其他
Max ID(A)9.0
PD25℃43.4
Qg(Typ.)2.4
RDS(ON)(Ω)530.0
StatusActive
Tj(℃)175
TypeN
VDS(V)800
VGS25℃ (V)2.8
VGS(V)-10/25

技术资料