SINO-IC(光宇睿芯)中国

SE2305Q

晶体管 - FET，MOSFET - 单
问 AI FAE数据手册 PDF
沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.7 A

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.7 A
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.7A
其他
数量1个P沟道
耗散功率(Pd)1.25W

技术资料

数据手册数据手册 · 779.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 387.7 KB · 2026-09-21
进入资料中心