SINO-IC(光宇睿芯)中国

SE2333

晶体管 - FET，MOSFET - 单

SE2333

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沟道P 沟道
耐压20 V
阈值电压400 mV

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
阈值电压400 mV最大
电源
漏源电压(Vdss)20V
阈值电压(Vgs(th))400mV
其他
数量1个P沟道
耗散功率(Pd)1.8W

技术资料

数据手册数据手册 · 779.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 568.9 KB · 2026-09-21
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