SINO-IC(光宇睿芯)中国

SE2N60B

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压600 V
连续漏极电流2 A
导通电阻4.3 Ω

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技术参数

耐压600 V
连续漏极电流2 A
导通电阻4.3 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)2A
其他
导通电阻(RDS(on))4.3Ω@10V
耗散功率(Pd)33W

技术资料

数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 779.5 KB · 2026-09-21
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