SGM100HF12A3V1

IGBT 模块
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技术参数

电源
IC(100℃)-最大集电极电流100A
ICM-集电极峰值电流300A
IF-二极管正向电流100A
VCES-集射极阻断电压1200V
VRRM-反向重复峰值电压1.81V
环境与封装
隔离电压等级2500V
其他
Eoff-关断损耗能量10.2mJ
Eon-开通损耗能量11.2mJ
Qg-栅极电荷870nC
VCE(sat)-集射级饱和压降1.9V
Vge(th)-门极发射极阈值6.5V
内置整流二极管0
内置整流桥堆0
单位温升0.16℃/W
宽度61.4mm
长度106.4mm
隔离型IGBT0
高度30.5mm

技术资料

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