SI2305-TP-HF

在产单 FET,MOSFETSOT-23

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沟道P 沟道
耐压8 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻90 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压8 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻90 mΩ最大 · 2A
阈值电压900 mV最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.4W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
其他
Base Product NumberSI2305
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds740 pF @ 4 V
MfrMicro Commercial Co
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2A, 1.8V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

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