SI2305
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@1.8V,2A
沟道P 沟道
耐压12 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻60 mΩ
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沟道P 沟道
耐压12 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻60 mΩ最大 · 2.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V,3A |
| 数量 | 1个P沟道 |