SI2305
晶体管 - FET，MOSFET - 单因其低导通电阻、高开关速度、低漏电流和高稳定性等性能特点，适用于低功耗电子系统、高频率开关系统和空间受限的电子系统
沟道P 沟道
耐压12 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻45 mΩ
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沟道P 沟道
耐压12 V
连续漏极电流4.1 A
导通电阻45 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V,3.5A |
| 数量 | 1个P沟道 |