SI2305DS-T1-E3

SI2305DS-T1-E3

停产晶体管 - FET,MOSFET - 单SOT-23-3

MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

沟道P 沟道
耐压8 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻52 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压8 V
连续漏极电流3.5 A
导通电阻52 mΩ最大 · 3.5A
阈值电压800 mV最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)8 V
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
PackageCut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
其他
Base Product NumberSI2305
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1245 pF @ 4 V
MfrVishay Siliconix
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 3.5A, 4.5V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

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