SI2306A
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V电压系统设计，具备高达5.8A的大电流处理能力。具有优越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换以及各类高功率电子设备中，实现高效可靠的功率管理与切换功能。
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.8 A
导通电阻30 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5.8 A
导通电阻30 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |