SI3424BDV-T1-GE3

单 FET,MOSFETSOT-23-6 Thin

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流8 A
导通电阻28 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流8 A
导通电阻28 mΩ最大 · 7A
阈值电压3 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package6-TSOP
其他
Base Product NumberSI3424
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds735 pF @ 15 V
MfrVishay Siliconix
PackagingTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Part StatusLast Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 7A, 10V
SeriesTrenchFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

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