SI4320DY-T1-GE3

单 FET,MOSFET8-SOIC

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流17 A
导通电阻3 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流17 A
导通电阻3 mΩ最大 · 25A
阈值电压3 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
其他
Base Product NumberSI4320
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 15 V
MfrVishay Siliconix
PackagingTape & Reel (TR)
Part StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 25A, 10V
SeriesTrenchFET®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

技术资料