SI7309DN-T1-E3-MS
晶体管 - FET,MOSFET - 单此款SI7309DN-T1-E3-MS场效应管为P沟道,采用DFN3X3-8L封装实现紧凑结构与强劲性能;60V VDSS、15A 连续电流适配高电压中等电流场景,70mΩ 低 RD (on) 减少能量损耗、提升效率,凭借优异电气性能与可靠品质,成为电源转换、马达驱动等严苛应用的理想半导体方案。
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此款SI7309DN-T1-E3-MS场效应管为P沟道,采用DFN3X3-8L封装实现紧凑结构与强劲性能;60V VDSS、15A 连续电流适配高电压中等电流场景,70mΩ 低 RD (on) 减少能量损耗、提升效率,凭借优异电气性能与可靠品质,成为电源转换、马达驱动等严苛应用的理想半导体方案。
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