SI7309DN-T1-GE3-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-60V；-36A；RDS(ON)=210mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-2.5V；
耐压60 V
连续漏极电流36 A
导通电阻28.8 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
耐压60 V
连续漏极电流36 A
导通电阻28.8 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 36A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.8mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 22W |