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SI7309DN-T1-GE3

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流8 A
导通电阻115 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流8 A
导通电阻115 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)8A
其他
导通电阻(RDS(on))115mΩ@10V,8A
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 533.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 210.6 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 41.0 KB · 2026-09-21
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