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SIHG22N60AEL-GE3

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流21 A
导通电阻180 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流21 A
导通电阻180 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)21A
其他
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V,11A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 210.6 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 132.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 41.0 KB · 2026-09-21
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