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SIZ320DT-T1-GE3

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压25 V
连续漏极电流30 A

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技术参数

沟道N 沟道
耐压25 V
连续漏极电流30 A
电源
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)30A
其他
数量2个N沟道
耗散功率(Pd)3.7W

技术资料

数据手册数据手册 · 362.6 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 210.6 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 41.0 KB · 2026-09-21
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