HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式配置，额定平均正向电流（IF）为3A，最大反向重复峰值电压（VR）为40V。其典型正向压降（VF）为0.55V，有助于降低导通损耗；在最大反向电压下，反向漏电流（IR）不超过500μA，具备良好的反向阻断能力。器件可承受高达70A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备及对效率和热性能有较高要求的电子电路中。