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SM3305PSQAC-TRG

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流40 A

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流40 A
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
其他
数量1个P沟道
耗散功率(Pd)29W

技术资料

数据手册数据手册 · 169.4 KB · 2026-09-21
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