小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.7A, Rdson:400mR,薄款外型厚度0.4um

问 AI FAE数据手册 PDF
耐压20 V
连续漏极电流660 mA
导通电阻700 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

耐压20 V
连续漏极电流660 mA
导通电阻700 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)660mA
其他
导通电阻(RDS(on))700mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)150mW

技术资料