小电流MOSFET产品,两个N沟道,ESD防护,耐压:30V,电流:0.75A, Rdson:280mR

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流750 mA
导通电阻380 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流750 mA
导通电阻380 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)750mA
其他
导通电阻(RDS(on))380mΩ@2.5V,0.3A
数量2个N沟道

技术资料