N+P MOSFET产品,耐压:30V,电流:N 16A/P -8A, Rdson:N 11mR/P 28mR

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耐压30 V
连续漏极电流8 ~ 16 A
导通电阻28 mΩ

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技术参数

耐压30 V
连续漏极电流8 ~ 16 A
导通电阻28 mΩ最大
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)16A;8A
其他
导通电阻(RDS(on))28mΩ;11mΩ
耗散功率(Pd)14W

技术资料