N+P MOSFET产品,耐压:30V,电流:N 7A/P -8A, Rdson:N 18mR/P 19mR

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耐压30 V
连续漏极电流7 ~ 8 A
导通电阻19 mΩ

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技术参数

耐压30 V
连续漏极电流7 ~ 8 A
导通电阻19 mΩ最大
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A;7A
其他
导通电阻(RDS(on))19mΩ;18mΩ
耗散功率(Pd)1.8W

技术资料