HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达150V。其典型正向压降（VF）为0.92V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为20μA，体现出优良的阻断性能。器件可承受高达50A的非重复正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出端以及对效率和热管理有较高要求的电子电路中。