SSP45N20B-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；
沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流50 A
导通电阻46 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流50 A
导通电阻46 mΩ最大 · 15V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@15V |
| 数量 | 1个N沟道 |