STD30NF06LT4(ES)
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：33mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻45 mΩ
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耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻45 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 25W |