STD30NF06LT4

在产单 FET,MOSFETTO-252-3

MOSFET N-CH 60V 35A DPAK

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻28 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻28 mΩ最大 · 18A
阈值电压2.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Power Dissipation (Max)70W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
其他
Base Product NumberSTD30
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 25 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 18A, 10V
SeriesSTripFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

技术资料