MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻28 mΩ
全部替代型号
查看完整报告已收录 5 个替代型号,其中国产替代 1 个,登录后查看。
技术参数
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻28 mΩ最大 · 18A
阈值电压2.5 V最大 · 250μA
| 电源 | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| 环境与封装 | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
| 其他 | |
| Base Product Number | STD30 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 18A, 10V |
| Series | STripFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
技术资料
数据手册数据手册 · 857.8 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 1.8 MB · 2026-09-22用户手册用户手册 · 1.5 MB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 1.5 MB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 1.2 MB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 1.2 MB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 1.1 MB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 1.1 MB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 980.7 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 764.7 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 764.5 KB · 2026-09-22宣传资料宣传资料 · 743.7 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 659.9 KB · 2026-09-22应用笔记应用笔记 · 347.0 KB · 2026-09-22
进入资料中心