MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
N沟道60V 35A STripFET II功率MOSFET，DPAK封装，低阈值驱动，最小化栅极电荷，适用于开关电源。规格书核对
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流35 A
导通电阻28 mΩ
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技术参数
沟道N 沟道
耐压60 VMin 60 V (VGS = 0，ID = 250 μA)
连续漏极电流35 A
导通电阻28 mΩ最大 · Max 0.028 Ω (VGS = 10 V，ID = 18 A)，Max 0.03 Ω (VGS = 5 V，ID = 18 A)
阈值电压2.5 V最大 · Max 2.5 V (VDS = VGS，ID = 250 μA)
规格书核对参数
21 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | N-channel | |
| 耐压 | Min 60 V (VGS = 0, ID = 250 μA) | |
| 连续漏极电流 | 35 A at TC = 25 °C; 25 A at TC = 100 °C | |
| 导通电阻 | Typ 0.022 Ω, Max 0.028 Ω (VGS = 10 V, ID = 18 A); Typ 0.025 Ω, Max 0.03 Ω (VGS = 5 V, ID = 18 A) | |
| 阈值电压 | Min 1 V, Typ 1.7 V, Max 2.5 V (VDS = VGS, ID = 250 μA) | |
| 封装 | DPAK |
全部参数（21 项）
| 电源 | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| 环境与封装 | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~175°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
| 其他 | |
| Base Product Number | STD30 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 18A, 10V |
| Series | STripFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
引脚与封装
Figure 1. Internal schematic d…
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | 栅极 (Gate) | ||
| 2 | 漏极 (Drain) / 散热片 (TAB) | ||
| 3 | 源极 (Source) |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。