STY60NM60-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；TO247；N—Channel沟道；650V；47A；RDS(ON)=50(mΩ)；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用SJ_Multi-EPI技术；
耐压650 V
连续漏极电流47 A
导通电阻60 mΩ
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耐压650 V
连续漏极电流47 A
导通电阻60 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 47A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 415W |