SUD25N04-25-T4-E3-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于设计各种电源模块、电动汽车辅助系统、工业控制器等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；55A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流55 A
导通电阻14 mΩ
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沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流55 A
导通电阻14 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 55A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |