SUD50P04-09L-E3-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-40V；-50A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；
沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流50 A
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沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流50 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 136W |