Rohm Semiconductor日本

TCTP1A336M8R

钽电容器

33uF ±20% 10V

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容值33 µF
额定电压10 V
精度20 %

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技术参数

容值33 µF
额定电压10 V
精度20 %
电源
额定电压10V
交流 / 直流特性
精度±20%
环境与封装
工作温度-55℃~+125℃
其他
容值33uF

技术资料

数据手册数据手册 · 7.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.8 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 639.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 377.4 KB · 2026-09-21
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