TF(拓锋)中国

TF060N03N

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,电流:65A,耐压:30V

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耐压30 V
连续漏极电流65 A
导通电阻11 mΩ

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技术参数

耐压30 V
连续漏极电流65 A
导通电阻11 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)65A
其他
导通电阻(RDS(on))11mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)45W

技术资料

数据手册数据手册 · 4.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 946.4 KB · 2026-09-21
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