TF(拓锋)中国

TF207N

晶体管 - FET，MOSFET - 单

SOT-23-3L塑料封装MOSFET，具备低栅极电荷和高功率电流处理能力

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻15 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻15 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
其他
导通电阻(RDS(on))15mΩ@2.5V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 946.4 KB · 2026-09-21
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